氮化镓（GaN）是一种性能优异的宽禁带半导体材料，因其高电子迁移率、高击穿电压和良好的高温稳定性，被 ...

首先说结论，RTP（Rapid Thermal Processing）是所有快速热处理的统称！但不限 ...

引言在集成电路制造过程中，氧化工艺是形成高质量二氧化硅（SiO₂）薄膜的关键步骤。随着技术的不断发展 ...

磁性材料或易受磁场影响的材料或器件，需要处于零磁场中测试。冷热台可利用磁屏蔽材料实现无磁场干扰下，进 ...

金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术作为氮化物材料外延生长的核心工艺，在LED、激光二极管等光电器 ...

在MOCVD工艺中，外延薄膜的生长速率与温度存在高度非线性关系，且温度波动会直接影响薄膜的均匀性和结 ...

温度均匀性在光刻工艺中的烘烤固化过程中至关重要，它直接影响光刻胶的固化质量和最终的图案质量。温度曲线 ...

2025年4月26日上午，西安石油大学理学院党委书记席利哲一行莅临光谷薄膜，开展本科人才培养方案调研 ...

氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-HEMT）因其优异的耐高温、高频、高功率特性，在射频通信、功率电子 ...

4月23日，2025九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会在光谷国际会展中心盛大开幕。作为国内化合物半导 ...