氮化镓（GaN）是一种性能优异的宽禁带半导体材料，因其高电子迁移率、高击穿电压和良好的高温稳定性，被广泛应用于LED、电力电子、射频通信和生物传感器等领域。
霍尔效应测试通过范德堡法精确测量以下关键参数：
- 霍尔系数：区分材料是n型还是p型，并计算载流子浓度。
- 载流子浓度：直接影响器件的导电性能和效率。
- 迁移率：反映载流子移动速度，决定器件的高频响应能力。
- 电阻率：评估材料的导电特性。
霍尔效应测试在GaN研究中的典型应用
1. 激光器开发
- 在Mg掺杂GaN薄膜的研究中，HET帮助确认p型载流子特性，这种特性对形成激光所需的能级结构至关重要。
- 通过测量载流子浓度，研究人员优化了激光发射阈值，提升了器件性能。
2. 生物传感器优化
- 在GaN多孔膜（GNP）生物传感器中，HET测得的迁移率和载流子浓度数据，为高灵敏度和快速响应的传感器设计提供了理论支持。 （高载流子迁移率有助于提高传感器的灵敏度）
3. 材料性能评估
- HET能够分析GaN在高温、高电场等极端条件下的电学特性，确保其在实际应用中的可靠性。
霍尔效应测试无论是激光器、生物传感器还是其他电子器件，提供的数据均为性能优化和创新设计奠定了科学基础。
