冷热台联用压力计和半导体参数仪测定不同温度不同压力下传感器的电学参数

氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-HEMT）因其优异的耐高温、高频、高功率特性，在射频通信、功率电子及高灵敏度传感器等领域具有重要应用价值。GaN-HEMT常面临复杂温度与压力环境，因此研究其在不同温压条件下的电学特性至关重要。

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高精度控温冷热台提供稳定的变温环境，结合‌压力计精确调控压力条件，并通过‌半导体参数分析仪‌实时测量GaN-HEMT的关键电学参数（如阈值电压、迁移率、漏电流等）。可实现对GaN-HEMT在不同温度、压力条件下的‌精准电学测试‌，为高性能半导体器件的研发与优化提供关键实验依据。

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该方案模拟了极端环境（如高温高压、低温低压），帮助‌评估GaN-HEMT在复杂工况下的可靠性‌‌优化压力传感器芯片的设计与性能‌，‌为航空航天、汽车电子等领域的应用提供数据支持。