在半导体材料的研究进程中,精确测定不同温度下半导体的霍尔效应,对深入探究其内在性能至关重要。中科院半导体所也有聚焦于宽禁带半导体的研究,需要掌握这类材料在不同温度环境下的磁电特性。
起初,中科院半导体所配备的 LakeShore霍尔设备仅能实现常温环境下的霍尔效应测试。随着科研工作的深入推进,也对变温环境下的测试有迫切需求。
我们精心打造了适配7900G永磁体的样品台组件,对原有的测试系统进行升级。通过这一升级,该测试系统成功实现了变温环境下霍尔效应的测量。
此次与常温霍尔测试仪联用,液氮低温恒温器发挥了关键作用。它不仅营造出宽温区且高精准度的温度环境,还通过定制化设计的真空样品腔室,满足了客户对磁场间距的严格要求。
最终中科院半导体所成功获取了变温下的载流子浓度数据。使得科研人员能够清晰洞察材料在不同温度下磁电性能的变化规律,为宽禁带半导体的进一步研究和应用提供了坚实的数据支撑。
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